Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.48: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Charakterisierung der Rekonstruktion von P-haltigen III-V-Halbleitergrenzflächen — •Thomas Hannappel, Lars Töben, Matthias Neges, Kristof Möller, Sven Visbeck, Christian Pettenkofer und Frank Willig — Hahn-Meitner-Institut, SE, Glienicker Strasse 100, D-14109 Berlin

Die atomare Rekonstruktion und die elektronischen Eigenschaften des III-V-Halbleitersystems In(x)Ga(1-x)P wurden in-situ mit Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS) untersucht. Mit Hilfe eines kontaminationsfreien Tranfers ins Ultrahoch-Vakuum wurden die mit verschiedenen MOCVD-Rezepten präparierten Oberflächen mittels UPS, LEED, XPS und RAS bei 20 K umfassend charakterisiert. Hochgeordnete P-terminierte und Kation-terminierte Grenzflächen können so bereits in der MOCVD-Peripherie identifiziert und mit verschiedenen Signalen im UHV korelliert werden. Die physikalischen Eigenschaften dieser atomar geordneten Oberflächen werden für die Bildung von abrupten Heterokontakten diskutiert.