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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.54: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

TEM-Untersuchungen an InAs-Heterostrukturen und Quantenpunkten auf GaAs-Substrat — •Stefan Mendach, Christian Heyn, Rainer Anton und Wolfgang Hansen — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg

InAs-basierte Heterostrukturen [1] bieten gegenüber konventionellen GaAs / AlGaAs-Systemen den Vorteil eines Ohm’schen Kontaktes zu aufgedampften Metallen, was die Herstellung hybrider Strukturen aus Halbleitern und Metallen oder Supraleitern erlaubt. Bei Verwendung von GaAs-Substrat müssen dazu allerdings Verspannungen abgebaut werden. Die dabei enstehenden Versetzungen werden hier mit TEM untersucht. Das Hauptaugenmerk liegt dabei auf der Art und Dichte der Versetzungen und insbesondere der Frage, wie viele Versetzungen bis in die elektronisch aktiven Schichten verlaufen. Um den vollständigen Schichtaufbau inklusive dem metamorphen Buffer zur Gitteranpassung und dem oberflächennahen InAs-Kanal abbilden zu können, muss die Probe bis in etwa 2 µm Tiefe elektronentransparent gedünnt sein. Das ist mit der bisherigen Drahtmaskierungsmethode zur Präparation von TEM-Querschnitten nicht möglich. Deshalb arbeiten wir zur Zeit an einer Zielpräparation mit fokussierten Ionenstrahlen.

Weiterhin werden sowohl freistehende als auch vergrabene selbstorganisiert gewachsene InAs-Quantenpunkte mit TEM untersucht. Die unterschiedlichen Kontrastentstehungen werden diskutiert.

[1] A. Richter, M. Koch, T. Matsuyama, Ch. Heyn, and U. Merkt, Appl. Phys. Lett. 77, 3227 (2000).