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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.58: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Quantitative Analyse der Übergangsenergien in modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Quantentrogstrukturen — •J. Eberhardt1, W.-M. Gnehr1, G. Gobsch1, R. Goldhahn1, K. Pierz2 und L. Gottwaldt2 — 1Institut für Physik, TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau — 2Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Labor 2.41, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig
Die energetische Lage der InterbandÜbergänge in n-modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Quantentrogstrukturen wird bei geringen Dichten des zweidimensionalen Elektronengases wesentlich durch den Potentialverlauf, Exzitonenabschirmung ‚Band-gap‘-Renormierung und Burstein-Moss-Verschiebung beeinflußt. In bisherigen Publikationen wird der erste Beitrag meist nur qualitativ diskutiert. Wir stellen erstmals eine vollständige quantitative Analyse entsprechender Emissions- (Photolumineszenz) und Absorptionsdaten (Elektroreflexion) im Dichtebereich von 0 bis 3*1011 cm−2 vor. Die dazu notwendige selbstkonsistente Berechnung der Übergangsenergien erfolgte im Rahmen der kp-Theorie. Ausgezeichnete Übereinstimmung zwischen Theorie und Experiment wird nicht nur für die niederenergetischen Übergänge (E1H1, E1L1) sondern auch für Übergänge unter Beteiligung höherer Subbänder (E1H2, E1H3 usw.) erreicht.