Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.7: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Near Interface Traps an der Grenzfläche von 4H-SiC MOS Kondensatoren — •Florin Ciobanu1, Michael Bassler1, Gerhard Pensl1 und Valery Afanas’ev2 — 1Lehrstuhl für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — 2Laboratory for Semiconductor Physics, KU Leuven
Die Zustandsdichte Dit von SiC/SiO2-Grenzflächen ist um etwa zwei
Größenordnungen höher als von Si/SiO2-Grenzflächen. Für
diese erhöhten Dit-Werte werden vorwiegend Kohlenstoff-Präzipitate
an der SiC/SiO2-Grenzfläche verantwortlich gemacht. Zusätzlich wird
in der Bandlücke von 4H-SiC MOS Kondensatoren knapp unterhalb der
4H-SiC-Leitungsbandkante ein starker Anstieg von Dit (bis 1014
eV−1cm−2) beobachtet. Diese zusätzlichen Zustände (Near
Interface Traps (NITs)) werden Defekten im Oxid nahe der Grenzfläche
zugeschrieben. Ihr energetischer Abstand von der SiO2-Leitungsbandkante
beträgt 2.77eV.
NITs führen je nach Richtung der Spannungsrampe (Verarmung nach
Anreicherung oder umgekehrt) zu einer Hysterese von
Kapazitäts-Spannungs-Kennlinien. Transientenmessungen der Kapazität
ergeben für den Fall der Emission und des Einfangs etwa gleich große
Zeitkonstanten (T=80K: τEmission = 59s,
τEinfang = 63s). Diese Beobachtung legt nahe, daß
Emission und Einfang von Elektronen über eine Energiebarriere erfolgen.
Temperaturabhängige Admittanzmessungen ergeben für diese Barriere einen
Wert von 200meV.