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Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.7: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Near Interface Traps an der Grenzfläche von 4H-SiC MOS Kondensatoren — •Florin Ciobanu1, Michael Bassler1, Gerhard Pensl1 und Valery Afanas’ev21Lehrstuhl für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — 2Laboratory for Semiconductor Physics, KU Leuven

Die Zustandsdichte Dit von SiC/SiO2-Grenzflächen ist um etwa zwei Größenordnungen höher als von Si/SiO2-Grenzflächen. Für diese erhöhten Dit-Werte werden vorwiegend Kohlenstoff-Präzipitate an der SiC/SiO2-Grenzfläche verantwortlich gemacht. Zusätzlich wird in der Bandlücke von 4H-SiC MOS Kondensatoren knapp unterhalb der 4H-SiC-Leitungsbandkante ein starker Anstieg von Dit (bis 1014 eV−1cm−2) beobachtet. Diese zusätzlichen Zustände (Near Interface Traps (NITs)) werden Defekten im Oxid nahe der Grenzfläche zugeschrieben. Ihr energetischer Abstand von der SiO2-Leitungsbandkante beträgt 2.77eV.
NITs führen je nach Richtung der Spannungsrampe (Verarmung nach Anreicherung oder umgekehrt) zu einer Hysterese von Kapazitäts-Spannungs-Kennlinien. Transientenmessungen der Kapazität ergeben für den Fall der Emission und des Einfangs etwa gleich große Zeitkonstanten (T=80K: τEmission = 59s, τEinfang = 63s). Diese Beobachtung legt nahe, daß Emission und Einfang von Elektronen über eine Energiebarriere erfolgen. Temperaturabhängige Admittanzmessungen ergeben für diese Barriere einen Wert von 200meV.

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