Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.82: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Analyse des Ladungsträgertransports in µc-SiGe mit Hall- und Photoleitungsmessungen — •Felix Voigt1, Thomas Unold1, Rulolf Brüggemann1, Reinhard Carius2 und Gottfried Heinrich Bauer1 — 1Fachbereich Physik, Carl von Ossietzky Universität Oldenburg — 2Institut für Photovoltaik, Forschungszentrum Jülich
Mikrokristalline Silizium-Germaniumschichten aus PECVD-Abscheidung zeigen eine Abhängigkeit der optische Bandlücken vom Ge-Gehalt ähnlich denen von (poly-) kristallinem Si-Ge /1/. Aus Transportmessungen, wie temperaturabhängigen Hall- und Photoleitungs-Experimenten (SSPG und stationäre Photoströme) in den nominell undotierten µc-Si1−xGex -Filmen (0 < x < 0.56) ergeben sich Aktivierungsenergien für den Ladungstranport im Bereich von 50 meV nahezu unabhängig von der Ge-Konzentration in 0 ≥ x ≥ 0.4. Die entsprechenden effektiven Barrierenhöhen an den Grenzen der Körner (mittlere Korngröße (30-50) nm) deuten auf nicht vollständig ausgebildete Raumladungszonen, sowie auf Potetialfluktuationen aufgrund der Variation der Korndurchmesser und der lokal variierenden Besetzung von Korngrenzenzuständen und Defekten hin. Ein Wechsel im Vorzeichen der Hall-Spannung, sowie die Abnahme der Aktivierungsenergie für die Hallbeweglichkeit z.B. für x = 0.56 / T ≥ 320 K läßt sich qualitativ und in einfachen modellhaften Ansätzen mit der temperaturabhängigen Verschiebung des Ferminiveaus und dem Übergang von Löcher zu Elektronenleitungstyp erklären. /1/ R. Carius et al., Proc. Mat. Res. Soc. Symp. 507 (1998) 813