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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.92: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Demonstration von Heterostruktur-Bipolartransistoren und Elektroabsorptionsmodulatoren auf der Basis eines multifunktionalen Schichtdesign — •T. Reimann1, M. Schneider2, P. Velling1, S. Neumann1, M. Agethen1, R.M. Bertenburg1, R. Heinzelmann2, A. Stöhr2, D. Jäger2 und F.-J. Tegude1 — 1Fachgebiet Halbleitertechnik/-technologie, Fachbereich Elektrotechnik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg — 2Fachgebiet Optoelektronik, Fachbereich Elektrotechnik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg
Für optoelektronische Anwendungen in der Datenübertragung ist die Integration der Bauelemente Transistor als Verstärkerkomponente und Wellenleiter-Modulator als optische Schaltkomponente auf einem Chip anzustreben. Ein InGaAsP/InP-basierendes Schichtsystem ermöglicht eine Arbeitswellenlänge von 1,55um, dem Absorptionsminimum von Glasfasern. Da sich der Schichtaufbau der Kollektorregion eines Heterostruktur-Bipolartransistors (HBT) und der eines Elektroabsorptionsmodulators (EAM) sehr ähneln, lassen sich beide integrieren. Dies ermöglicht nicht nur einen einfachen Herstellungsprozeß, sondern auch ein kombiniertes Bauelement, das Transistor und Modulator in sich vereint, bei dem die Modulation sowohl durch Spannungsänderung (Franz-Keldysh Effekt) als auch durch Stromänderung (Bandfüll-Effekt) verursacht wird. Das Bauelement entspricht einem Modulator mit integriertem Verstärker. Es werden das Schichtsystem, die Technologie und Meßergebnisse, sowohl DC als auch HF, für das kombinierte Bauelement, als auch für die Transistoren und Modulatoren vorgestellt.