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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.98: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

MBE-Wachstum von AlGaAs-Schichten auf vorstrukturierten GaAs-Substraten — •W. Limmer, K. Bitzer und R. Sauer — Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 45, D-89081 Ulm

Mit Hilfe ortsaufgelöster Photolumineszenzspektroskopie wird das MBE-Wachstum von AlGaAs-Schichten auf vorstrukturierten GaAs-Substraten untersucht. Barrenstrukturen mit Seitenfacetten von einigen Mikrometern Breite werden zunächst naßchemisch in (100)-GaAs-Substrate geätzt. Nach dem Überwachsen der Strukturen mit einer AlGaAs-Schicht wird die lokale Aluminiumkonzentration mit einer Ortsauflösung von 1µ aus der energetischen Position der Band-Band- Photolumineszenz bestimmt. Aus dem Aluminiumprofil lassen sich Rückschlüsse auf die lateralen Diffusionsvorgänge während des Wachstums ziehen. Verglichen werden die experimentellen Ergebnisse mit Simulationsrechnungen.