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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Hauptvortrag

HL 25.1: Invited Talk

Thursday, March 29, 2001, 09:30–10:15, S2

Flash Memory Devices — •Christoph Ludwig und Klaus Knobloch — Infineon Technologies, Koenigsbrueckerstr. 180, 01099 Dresden, Germany

Der erste Gigabit-Massenspeicher auf Siliziumbasis wird ein "Flash" - ein nichtflüchtiger Speicher - sein. Der Beitrag diskutiert die technologischen Herausforderungen der Skalierung auf immer kleinere Dimensionen bis zu 100nm.

Zwei Aspekte, Tunneloxid und die Transistor-Anschlußkonstruktion werden diskutiert.

Von der Tunneloxiddicke hängt insbesondere ab inwieweit die zum Schreiben und Löschen des Speichers erforderlichen Hochspannungen skaliert werden können. Dafür kritisch ist das grundlegende Verständnis und damit auch die Kontrolle der speziellen Gateoxidzuverlässigkeitsaspekte. Diskutiert werden neben der Ladungshaltung bei hohen Temperaturen die flash-spezifische Ausfall- und Ladungsverlustmechnismen des 7-10nm dicken Tunneloxides.

Die Anschlußimplantation der Zelltransistoren bestimmen empfindlich die zum Schreiben und Löschen benötigten Ströme sowie die Zugriffszeit.

Verständnis und Kontrolle dieser Device- und Zuverlässigkeitsaspekte sind die Voraussetzung, um die Technologie auf die jeweilligen Produktanforderungen zu optimieren. Dies wird am Beispiel der von Infineon für Chipkartenanwendungen entwickelten Technologie des 0.25um embedded EE-PROM bechrieben. Infinineon hat damit als weltweit erster Hersteller einen solchen Prozeß in Produktion, der die besonders hohen Produktanforderungen für Chipkarten erfüllt.