Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN II

HL 27.2: Talk

Thursday, March 29, 2001, 10:45–11:00, S7

Verallgemeinerte Infrarot-Ellipsometrie - eine neue Charakterisierungsmethode für Halbleiter-Heterostrukturen — •Alexander Kasic und Mathias Schubert — Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Inst. für Exp. Physik II, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig

Mittels Verallgemeinerter Ellipsometrie im infraroten Spektralbereich kann der spektrale Verlauf und die Anisotropie der komplexen dielektrischen Funktion dünner Filme präzise bestimmt werden, ohne eine numerische Kramers-Kronig-Analyse durchführen zu müssen. Polare Gitterschwingungen und die Absorption freier Ladungsträger bestimmen die infrarote dielektrische Antwortfunktion von Halbleiter-Heterostrukturen. Durch die Analyse von Gitterresonanzen und Plasmon-Phonon-Kopplungsmoden mittels Infrarot-Ellipsometrie können Informationen über die Eigenschaften freier Ladungsträger, Mischkristallzusammensetzung, Schichtverspannung und -qualität von komplexen Gruppe-III-N-Strukturen auf resonante und zerstörungsfreie Weise gewonnen werden. Beispiele für die Behandlung anisotroper Substratmaterialien wie Al₂O₃ und SiC werden gegeben. Die IR-Datenanalyse ermöglicht Aussagen über die Verspannung, Zusammensetzung und Dicke heteroepitaktischer (Al, Ga, In)N-Schichten und die Verteilung freier Ladungsträger in komplexen LED- und LD-Strukturen. Infrarot-ellipsometrische Untersuchungen an neuen Dünnschichtmaterialien wie AlInGaN werden vorgestellt.