Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: GaN II
HL 27.5: Talk
Thursday, March 29, 2001, 11:30–11:45, S7
AlGaN/GaN 2DEG MBE Heterostrukturen auf SiC: 1D-Poisson-Schrödinger Berechnungen und Magnetotransportmessungen — •Martin Kočan1, Dirk Dörner1, Angela Rizzi1,2 und Hans Lüth1 — 1ISG 1 - Institut für Schichten und Grenzflächen, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich — 2INFM-Dip. di Fisica, Università di Modena, Modena, Italien.
Das zwei-dimensionale-Elektronen-Gas (2DEG) in AlGaN/GaN Heterostrukturen ist für HEMT Anwendungen geeignet; in Abwesenheit einer Modulationsdotierung wird das 2DEG nur durch starke Polarizationsfelder induziert. Die Elektronenschichtkonzentration (ns) und das Confinement des 2DEGs sind von einigen physikalischen Eigenschaften, wie Polarität, Al-Inhalt, Verspannung, Dicke und Dotierung der AlGaN Barriere, abhängig. Die AlGaN/GaN Heterostrukturen werden auf 6H-SiC (0001) mittels MBE hergestellt. Aktivierter Stickstoff wird von einer RF-Plasmaquelle erzielt. Unter systematischer Veränderung der physikalischen Parameter werden AlGaN Schichten auf GaN deponiert. Der Einfluss unterschiedlicher Dicke und Al-Inhalt der AlGaN Barriere auf ns wird mittels selbstkonsistenter Berechnung der Schrödinger und Poisson Gleichung untersucht. Die hergestellten Strukturen werden elektrisch charakterisiert, u.a. bei temperaturabhängingen Hall-Effekt Messungen. Die unterschiedlichen Streumechanismen, die die Beweglichkeit des 2DEGs begrenzen, werden diskutiert.