Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 28: Si / Ge
HL 28.4: Talk
Thursday, March 29, 2001, 11:15–11:30, S9/10
Magnetische Resonanzuntersuchungen an flachen Donatoren in hydrogeniertem Cz-Silizium — •B. Langhanki1, S. Greulich-Weber1, J.-M. Spaeth1 und V.P. Markevich2 — 1Universität Paderborn, Fachbereich Physik, 33095 Paderborn — 2Institute of Solid State and Semiconductor Physics, 220072 Minsk, Belarus
Mittels Infrarot-Absorption-Messungen wurden drei Typen (D1-D3) einer
Donatorfamilie in sauerstoffreichem, hydrogeniertem Silizium nach
Bestrahlung mit schnellen Elektronen und anschließender Temperung im
Bereich von (300-550)∘C entdeckt [1]. Diese Zentren wurden mit
Elektronen-paramagnetischer Resonanz (EPR), elektrisch detektierter EPR
(EDEPR) und Elektronen-Kern Doppel-Resonanz (ENDOR) untersucht. Die
Beteiligung von Wasserstoff an D2 und D3 wurde aufgrund von
Hyperfein(HF)-Wechselwirkungen eines ungepaarten Elektrons mit den Kernen
von 1H und 2H in ENDOR-Spektren nachgewiesen. Die Parameter der
HF-Wechselwirkung konnten durch die Auswertung der Winkelabhängigkeit der
ENDOR-Linien bestimmt werden. Ein Vergleich der gewonnenen Daten der EPR
und ENDOR Messungen mit denen der bekannten flachen thermischen Donatoren
Si-NL10(H) wird vorgenommen [2]. Ebenso wird ein Model der Atomstruktur und
der Bildungsmechanismus der den D1-D3 Spektren zugrundeliegenden Defekte
diskutiert.
V.P. Markevich et al., J. Appl. Phys. 76 (1994)
7347
Yu.V. Martynov et al., Phys. Rev. Lett. 74 (1995) 2030