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Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Si / Ge

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–12:45, S9/10

10:30 HL 28.1 Free charge carrirs in mesoporous silicon — •Victor Yu. Timoshenko, Thomas Dittrich, Vladimir Lysenko, Maxim G. Lisachenko, and Frederick Koch
10:45 HL 28.2 Investigations of Stress-Induced Leakage Current in Ultrathin Silicon Oxides — •Tatsiana Guminskaya and Peter Gaworzewski
11:00 HL 28.3 Ballistischer 1D-Transport in Si/SiGe-Nanostrukturen — •U. Wieser, D. Iamundo, U. Kunze, T. Hackbarth und U. König
11:15 HL 28.4 Magnetische Resonanzuntersuchungen an flachen Donatoren in hydrogeniertem Cz-Silizium — •B. Langhanki, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth und V.P. Markevich
11:30 HL 28.5 Effect of uniaxial stress at 111In-P complex in Si. — •G. Tessema and R. Vianden
11:45 HL 28.6 Leerstelle und Zwischengitteratom in Germanium — •Rainer Sielemann, Helmut Häßlein, Martin Müller, Lorenz Stadler und Christian Zistl
12:00 HL 28.7 Bor-Germanium-Paare in Silizium-Germanium-Mischkristallen — •J. Hattendorf, W.-D. Zeitz, W. Schröder und N. V. Abrosimov
12:15 HL 28.8 Optische und strukturelle Untersuchungen an MBE gewachsenen selbstorganisierten Ge Inselstapeln in Silizium — •C. Schramm, M. Herbst, K. Brunner und G. Abstreiter
12:30 HL 28.9 Der Bor-Zwischengitterkomplex in Silizium-Germanium-Mischkristallen — •W.-D. Zeitz, J. Hattendorf, W. Schröder und N. V. Abrosimov
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