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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Si / Ge

HL 28.3: Talk

Thursday, March 29, 2001, 11:00–11:15, S9/10

Ballistischer 1D-Transport in Si/SiGe-Nanostrukturen — •U. Wieser¹, D. Iamundo¹, U. Kunze¹, T. Hackbarth² und U. König² — ¹Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum — ²DaimlerChrysler AG, Forschungszentrum Ulm, Wilhelm-Runge-Str. 11, D-89081 Ulm

Ausgehend von n-Kanal Si/SiGe-Heterofeldeffektstrukturen hoher Tieftemperatur-Elektronenbeweglichkeit werden nanoskalige Transistoren hergestellt und elektrisch charakterisiert. Die Nanostrukturierung erfolgt durch Elektronenstrahllithographie und schädigungsarmes materialselektives naßchemisches Ätzen. Mit diesem neuentwickelten Verfahren können durch die Übertragung einer senkrecht zum Transistorkanal orientierten unterbrochenen Linie Quantenpunktkontakte hergestellt werden. Die Öffnung der Punktkontakte wird durch die geometrische Abmessung der Unterbrechung vorgegeben und liegt im Bereich zwischen 20 und 150 nm. In der differentiell gemessenen Abhängigkeit des Leitwertes von der Gatespannung zeigen sich bei T=4.2 K Strukturen, die als Leitwertquantisierung gedeutet werden. Wird der differentielle Leitwert in Abhängigkeit einer angelegten Draingleichspannung gemessen, so kann die sukzessive Besetzung eindimensionaler Subbänder mit steigender Gatespannung verfolgt und der Subbandabstand zu etwa 2.2 meV abgeschätzt werden.