Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 28: Si / Ge
HL 28.7: Vortrag
Donnerstag, 29. März 2001, 12:00–12:15, S9/10
Bor-Germanium-Paare in Silizium-Germanium-Mischkristallen — •J. Hattendorf1, W.-D. Zeitz1, W. Schröder2 und N. V. Abrosimov2 — 1Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Strasse 100, 14109 Berlin — 2Institut für Kristallzüchtung, Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin
Siliziumreiche SiGe-Mischkristalle ermöglichen die Herstellung von Transistoren mit hohen Taktfrequenzen und niedriger Leistungsaufnahme [1]. Zur Erzeugung von p-Si1−xGex werden die Mischkristalle mit Bor dotiert. Abhängig vom Anteil des beigemischten Germaniums ist die Bildung von B-Ge-Paaren zu erwarten.
Bei β-NMR-Experimenten an 12B in Mischkristallen mit einem Germaniumanteil von 7% wurde eine Quadrupolresonanz gefunden, die einem substitutionellen B-Ge-Paar im Siliziumgitter zugeordnet werden kann. Der gemessene elektrische Feldgradient (EFG) betrug Vzz=3.8(3) V/Å2 mit z//[111] und η=0. Eine Temperaturabhängigkeit war im untersuchten Temperaturbereich (300 K bis 880 K) nicht nachzuweisen.
Die Berechnung des EFG am Boranion unter Anwendung einer Methode der
Dichtefunktionaltheorie [2] erbrachte Vzz=3.1 V/Å2 und
bestätigte die Zuordnung. Die aus den β-NMR-Spektren ermittelte
Häufigkeit der B-Ge-Paare entspricht ihrer statistischen
Wahrscheinlichkeit.
B. S. Meyerson, Scientific American, March 1994, pp. 62-67
P. Blaha, K. Schwarz, J. Luitz, WIEN97, ISBN 3-9501031-0-4 (1999)