Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 3: Transporteigenschaften
HL 3.7: Vortrag
Montag, 26. März 2001, 12:00–12:15, S16
Synthese von zweidimensionalen Elektronengasen in undotierten III/V-Heterostrukturen mittels Dotierung mit fokussierten Ionenstrahlen — •Cedrik Meier, Maria Antonia Serrano Álvarez, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150, D-44780 Bochum
Bei der Herstellung von III/V-Heterostrukturen mit eingebautem zweidimensionalen Elektronengasen (2DEG) mittels epitaktischer Verfahren (z. B. MBE) werden die Dotieratome lateral homogen verteilt. Eine laterale Strukturierung der Ladungsträgerdichte ist so nicht gegeben. Wir bringen die Dotieratome erst nach dem Wachstum mittels fokusssierter Ionenimplantation ein. Auf diese Weise ist uns die Herstellung lateral strukturierter 2DEG gelungen. Es wird sowohl die Bedeutung der Implantationsparameter wie z.B. der Ionendosis und -Energie, als auch die Anwendung des Verfahrens auf verschiedene Heterostrukturen, wie z. B. Quantentöpfe oder Heterostrukturen mit InxGa1−xAs-Kanal, diskutiert.