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HL: Halbleiterphysik

HL 30: III-V Halbleiter II

HL 30.2: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 10:45–11:00, S16

Ausheizuntersuchungen von (GaIn)(NAs)-Strukturen — •Stephan Schäfer, Jörg Koch, Falko Höhnsdorf, Kerstin Volz, Andreas Hasse, Andreas Schaper und Wolfgang Stolz — Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften und Fachbereich Physik der Universität Marburg

Mittels MOVPE hergestellte quaternäre (GaIn)(NAs)/GaAs-Strukturen (MQW bzw. Volumenschichten) wurden z.T. mehrstufig bei 850-1050K unter verschiedenen As-Stabilisierungen ausgeheizt und durch HR-XRD, TEM und PL charakterisiert. Während ternäre (GaIn)As- und Ga(NAs)-Schichten keine Energieverschiebung zeigen, tritt bei allen quaternären (GaIn)(NAs)-Proben eine Blauverschiebung des PL-Maximums abhängig vom In-Gehalt auf, die oberhalb 970K sättigt. Korrespondierend dazu nimmt die Linienbreite ab. Die PL-Intensität wird bei ca. 1000K maximal. HR-XRD und TEM zeigen keine Veränderung der Struktur durch die hier verwendeten Ausheizbedingungen. Offensichtlich ist dieser Effekt eine intrinsische Eigenschaft des quaternären Materialsystems, verursacht durch eine Abhängigkeit der Bandlücke von der Umgebung der N-Atome. Eine Modellvorstellung dieses Verhaltens als Funktion der Ausheizbedingungen wird vorgestellt und diskutiert.