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HL: Halbleiterphysik

HL 30: III-V Halbleiter II

HL 30.3: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 11:00–11:15, S16

InP(100)-Heterogrenzflächen — •Matthias Neges, Lars Töben, Kristof Möller, Dirk Herrmann, Thomas Hannappel und Frank Willig — Hahn-Meitner-Institut,Abteilung SE4, Glienickerstr. 100, 14109 Berlin

Zur Untersuchung von Barrieren in photovoltaischen Bauelementen wurden Phosphor-haltige Heterokontakte präpariert und in-situ analysiert. Dazu wurden in der MOCVD dünne, atomar geordnete, Phosphor-terminierte, InP-Absorberschichten überwachsen. Mittels Reflexions Anisotropie Spektroskopie wurden diese nach kontaminationsfreiem Transfer ins Ultra-Hochvakuum bei Temperaturen bis hinunter zu 20K vermessen. Mögliche Anwendungen für schnelle elektronische Bauelemente und Solarzellen werden diskutiert.