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HL: Halbleiterphysik

HL 34: Heterostrukturen

HL 34.10: Talk

Thursday, March 29, 2001, 17:45–18:00, S17

Erhöhung der thermischen Resistenz von selektiv dotierten Al_xGa_1−xAs/GaAs-Heterostrukturen — •Cedrik Meier, Maria Antonia Serrano Álvarez, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150, D-44780 Bochum

Zur Herstellung von Bauelementen auf Basis von Al_xGa_1−xAs/GaAs-Heterostrukturen werden bei verschiedenen Prozeßschritten, speziell nach Ionenimplantation zu Dotierungszwecken, schnelle thermische Prozeßschritte (engl. rapid thermal processing, RTP) angewandt. Wir untersuchen den Einfluß der Ausheiltemperatur T des thermischen Schrittes auf die elektronischen Eigenschaften (Beweglichkeit µ und Ladungsträgerdichte n). Man findet eine starke Degradation der elektronischen Eigenschaften der Strukturen bei Temperaturen oberhalb von T=650^∘C. Durch den Einsatz eines kurzperiodischen Übergitters kann die maximal verträgliche Tempertemperatur um ca. 150K - 200K gesteigert werden. Es werden verschiedene Varianten im Schichtaufbau sowie der Mechanismus der Degradation diskutiert.