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HL: Halbleiterphysik

HL 34: Heterostrukturen

HL 34.5: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 16:30–16:45, S17

Doppelresonante elektronische Ramanspektroskopie in Microcavities — •T. Kipp, L. Rolf, C. Schüller, D. Endler, Ch. Heyn und D. Heitmann — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg

Wir berichten über eine starke selektive Verstärkung von elektronischen Intersubband-Anregungen eines modulationsdotierten GaAs-Al_0.2Ga_0.8As-Quantum Wells, der in das Zentrum einer planaren AlAs-Al_0.4Ga_0.6As-λ-Microcavity eingebettet ist. Die Cavity ist dabei so dimensioniert, dass sich ihre Moden-Energie im effektiven Bandgap der dotierten Quantum Well-Struktur befindet. Wir konnten erstmalig zeigen, dass sich die elektronischen Ramansignale bei der Streuung an kollektiven Ladungsdichte- und Spindichte-Intersubband-Anregungen des 2DES durch die Resonanz des eingestrahlten Laserlichtes mit der rein photonischen Cavity-Mode verstärken lassen. Durch geeignete Wahl der Einfalls- und Detektionswinkel können sowohl die Photonen des anregenden Laserlichtes als auch die inelastisch gestreuten Photonen in Resonanz mit der Cavity-Mode gestimmt werden. Da die Breite der Cavity-Mode kleiner als die der elektronischen Anregungen ist, lassen sich unter diesen doppelresonanten Bedingungen Teile der Anregungen selektiv um etwa drei Größenordnungen im Vergleich zur einfachen Resonanz verstärken. Die vorgestellte Methode eröffnet neue Perspektiven für die Verstärkung von schwachen Ramansignalen in Quantenpunkt-Strukturen mit wenigen Elektronen. Diese Arbeit wurde von der DFG im Rahmen des SFB 508 und der Graduiertenkollegs „Nanostrukturierte Festkörper“ und „Lokalisierte Atome“ gefördert.