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HL: Halbleiterphysik

HL 35: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften II

HL 35.10: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 17:45–18:00, S6

Optische Ladungsspeicherung und Auslesen in selbstorganisierten In(Ga)As Quantenpunkten — •D. Heinrich, M. Kroutvar, A. Zrenner, G. Böhm, M. Bichler und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Das hier vorgestellte Konzept zu wellenlängenselektiver optischer Ladungsspeicherung von Elektronen oder Löchern in In(Ga)As/GaAs Quantenpunkten (QDs) erlaubt es, die Anregungswellenlänge als zusätzliche Speicherdimension zu verwenden. Die dazu nötige inhomogen verbreiterte Absorptionslinie des QD Ensembles basiert auf Grössenfluktuationen der QDs. Durch resonante optische Anregung der In(Ga)As QDs im nahen Infrarotbereich werden Elektron-Loch-Paare in den QDs erzeugt und aufgrund des intrinsischen Feldes in einer p-i-n Struktur räumlich getrennt. Dadurch bleibt eine Ladungsträgerart eingespeichert in den QDs zurück. Der Speicherzustand der QDs wird durch kapazitive Kopplung zu einem benachbarten zweidimensionalen Ladungsträgersystem detektiert. Dieser Speicherzustand kann länger als 8 Stunden und bei Temperaturen von bis zu T=200K beobachtet werden. Das Auslesen der gespeicherten Ladungen kann über die Injektion von komplementären Ladungsträgern in die QDs erfolgen, indem die bei der Rekombination erzeugten Photonen spektral aufgelöst detektiert werden. Alternativ kann rein optisch Entladen werden. Durch Einstrahlen von Mittelinfrarotlicht werden die gespeicherten Ladungsträger direkt über das Einschlusspotential der QDs angehoben und damit die gespeicherte Information gelöscht.