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HL: Halbleiterphysik

HL 35: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften II

HL 35.8: Talk

Thursday, March 29, 2001, 17:15–17:30, S6

Photostromspektroskopie an einzelnen InGaAs-Quantenpunkten — •Evelin Beham, Frank Findeis, Max Bichler und Artur Zrenner — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching, Germany

Die optische Absorption einzelner Quantenpunkte lässt sich mit Hilfe spektral aufgelöster Photostrom-Messungen beobachten. Im Rahmen dieser Arbeit wurden selbstorganisierte InGaAs Quantenpunkte untersucht, die in die intrinsische Schicht einer n-i-GaAs-Schottkydiode eingebettet sind. Die optische Selektion einzelner Quantenpunkte wurde mittels elektronenstrahl-lithographisch definierter Schattenmasken erreicht. Ein Titan-Saphir-Laser wurde verwendet, um die Quantenpunkte resonant mit Exzitonen zu besetzen. Die optisch erzeugten Ladungsträger können bei ausreichender elektrischer Feldstärke aus den Quantenpunkten durch Tunneln entkommen und lassen sich im Photostrom nachweisen. Im Photostromsignal zeigt sich bei Variation der Laserenergie die diskrete Natur der Quantenpunkt-Zustandsdichte in Form von scharfen Absorptionslinien. An Quantenpunkt-Grundzuständen beobachten wir eine Sättigung des Photostroms mit zunehmender Anregungsleistung. Der Sättigungswert des Photostroms zeigt eine ausgeprägte Abhängigkeit von der externen Spannung. Eine Erhöhung der elektrischen Feldstärke im Bereich des Quantenpunkts führt ferner zu einer spektralen Verbreiterung der Photostromlinien, woraus sich Rückschlüsse auf die Tunnelwahrscheinlichkeit der Ladungsträger aus den Quantenpunkten ziehen lassen.