Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 35: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften II

HL 35.9: Talk

Thursday, March 29, 2001, 17:30–17:45, S6

Vielteilcheneffekte in geladenen InGaAs/GaAs Quantenpunkten — •Florian Guffarth, Robert Heitz, Christian Kapteyn, Frank Heinrichsdorff und Dieter Bimberg — Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Vielteilcheneffekte in geladenen, selbst-organisierten InGaAs/GaAs Quantenpunkten wurden mit Hilfe von Photolumineszenz- (PL) und Anregungsspektroskopie (PLE) untersucht. Dabei können die Quantenpunke, welche mittels MOCVD gewachsen wurden, innerhalb einer pn-Struktur gezielt mit Elektronen be- und entladen werden. C-V Messungen zeigen, dass die Quantenpunkte mit bis zu ∼10 Elektronen befüllt werden können. Der Ladungszustand der Quantenpunkte hat insbesondere einen erheblichen Einfluss auf das Anregungsverhalten der Grundzustandslumineszenz. Die verschiedenen Anregungskanäle werden sukzessive unterdrückt, womit eine Zuordnung der Übergänge ermöglicht wird. Darüber hinaus zeigen die Anregungsresonanzen charakteristische Linienverschiebungen aufgrund von Vielteilcheneffekten. Desweiteren gibt die elektrische Feldabhängigkeit einzelner Anregungskanäle Aufschluss über die Konkurrenz zwischen Ladungsträgeremission und Quantenpunkt-interner Relaxation.