Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 37: Unordnung und Wechselwirkung

HL 37.3: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 16:00–16:15, S16

Korrelation zwischen Dotiereffizienz und Materialkomposition von a-SiO_x:H — •Andreas Janotta¹, Rainer Janssen¹, Matthias Schmidt¹, Lutz Görgens², Claus Hammerl³, Bernd Stritzker³ und Martin Stutzmann¹ — ¹Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, 85748 Garching — ²Physik Dep. E11, TU München, James-Franck-Str., 85748 Garching — ³Institut f. Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg

Amorphe hydrogenisierte Silizium-Suboxide (a-SiO_x:H) besitzen eine Bandlücke, die sich für Sauerstoffgehalte von 0 bis 50 at. % zwischen 1,9 und 3,0 eV variieren läßt. n- und p-typ-Dotierung kann durch die Beigabe von PH₃ bzw. B₂H₆ zu den Depositionsgasen SiH₄, CO₂ und H₂ erreicht werden. Durch die zunehmende Legierung mit Sauerstoff sinkt die mittlere Koordinationszahl <r> von einem Wert nahe vier für Si auf ca. 2,6 für SiO_x mit hohen Sauerstoffgehalten. Mittels ERD wurde die Zusammensetzung der Schichten und daraus die mittlere Koordinationszahl <r> bestimmt. Diese Abnahme korreliert mit experimentellen Daten für die Materialhärte. Auch der elektrisch aktive Einbau der Dotieratome wird mit sinkender atomarer Koordination immer unwahrscheinlicher. Der Zusammenhang zwischen mittlerer Koordination <r> und der Effizienz substitutioneller Dotierung wird diskutiert.