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HL: Halbleiterphysik

HL 37: Unordnung und Wechselwirkung

HL 37.6: Talk

Thursday, March 29, 2001, 16:45–17:00, S16

Charakterisierung tiefer Störstellen in LT GaAs — •C. Steen, S. Tautz, S. Krämer, P. Kiesel, S. Malzer und G.H. Döhler — Institut für Technische Physik I, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen

Epitaktisch bei tiefen Temperaturen abgeschiedenes GaAs (LT-GaAs) besitzt eine hohe Konzentration tiefer Störstellen (10¹⁸cm⁻³). Diese hohe Störstellenkonzentration erschwert die Charakterisierung dieser Defekte durch konventionelle Methoden. Um dieses Problem zu umgehen untersuchen wir eine p-i-n Diode in deren i Schicht eine dünne LT-GaAs Schicht (8 nm) eingebettet ist. Durch Variation der an der Diode angelegten Spannung können die Störstellen im LT- Material gezielt beladen und entleert werden. Die Breite der Raumladungszone in der (dünnen, schwach dotierten) n-Schicht und somit auch sowohl die Kapazität als auch der n-Schichtleitfähigkeit sind von der Ladung im LT-GaAs Material abhängig. Durch zeitaufgelöste Messungen der Kapazität und des n-Schichtleitwertes bei verschiedenen Temperaturen erhält man dadurch Informationen über die charakteristischen Zeitkonstanten, Wirkungsquerschnitte sowie Energieniveaus der Defekte.