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HL: Halbleiterphysik

HL 37: Unordnung und Wechselwirkung

HL 37.7: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 17:00–17:15, S16

Ab-initio Berechnung des Einflusses von Gitterrelaxationen auf Hyperfeinfelder von Defekten in Diamant und SiC — •Uwe Gerstmann und Harald Overhof — Fachbereich Physik, Universität Paderborn, Warburger Str. 100, 33098 Paderborn

Wir haben den Einfluß von Gitterrelaxation auf verschiedene Defektkomplexe in kubischen Halbleitern untersucht. Die Ab-initio Berechnung im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie erfolgte dabei mit der Linear-Muffin-Tin Orbital Methode (LMTO), wobei die Störung der elektronischen und geometrischen Struktur über eine Greenfunktionentechnik behandelt wurde.

Besondere Beachtung wurde dabei der Spinpolarisation geschenkt, die es erlaubt, die experimentell zugänglichen Hyperfeinfelder von Defekten zu bestimmen. Unter Vernachlässigung der Gitterrelaxationen zeigen die berechneten Hyperfeinwerte recht große Abweichungen vom Experiment (bei Vakanz-Komplexen in Diamant und SiC bis zu 50% an den nächsten Nachbarn). Mit Berücksichtigung der Gitterrelaxation verschwinden diese Diskrepanzen zwischen Theorie und Experiment nahezu vollständig .