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HL: Halbleiterphysik
HL 37: Unordnung und Wechselwirkung
HL 37.8: Talk
Thursday, March 29, 2001, 17:15–17:30, S16
Lichtinduzierte Bewegung von interstitiellem Bor in Silizium — •D. Peters, B. Ittermann, M. Füllgrabe, F. Kroll, A.-A. Rezzaki, H. Thiess, H. Ackermann und H.-J. Stöckmann — Fachbereich Physik der Universität Marburg, D-35032 Marburg.
25 Jahre nach der Entdeckung des interstitiellen Bor-Defekts in Silizium durch Watkins [1] werden Konfiguration und Wanderungsverhalten immer noch intensiv diskutiert [2]. Mit β-strahlungsdetektierter Kernspinresonanz (β-NMR) haben wir das Diffusions- und Ausheilverhalten von 12B nach Implantation in verschieden dotierte Si-Kristalle untersucht. Ein isolierter Bor-Defekt mit C3v–Symmetrie ist in den β-NMR-Spektren von 30–400 K beobachtbar und wird allgemein als “interstitielles B” (Bi) bezeichnet. Die Temperaturabhängigkeit der Bi-Signalamplitude lässt sich quantitativ durch thermisch aktivierte Reorientierungssprünge erklären. Dabei wird unter Lichteinstrahlung eine erhebliche Zunahme der Sprungrate beobachtet. Dies deutet auf einen ladungsträgerunterstützten, eventuell sogar athermischen, Wanderungsmechanismus hin.
[1] G. D.Watkins, Phys. Rev. B 12, 5824 (1975).
[2] B. Sadigh et al., Phys. Rev. Lett. 83, 4341 (1999); W. Windl et al., Phys. Rev. Lett. 83, 4345 (1999); M. Hakala et al., Phys. Rev. B 61, 8155 (2000).