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HL: Halbleiterphysik
HL 43: GaN III
HL 43.2: Talk
Friday, March 30, 2001, 11:45–12:00, S2
Theoretische Untersuchung von 60∘-Versetzungen in GaN und deren Dissoziation. — •Alexander Blumenau1,2, Robert Jones2, Malcolm Heggie3 und Thomas Frauenheim1 — 1Theoretische Physik, Universität Paderborn, 33098 Paderborn — 2School of Physics, The University of Exeter, Exeter, EX4 4QL, UK — 3CPES, The University of Sussex, Falmer, Brighton, BN1 9QJ, UK
Versetzungen in GaN beeinflussen in vielfältiger Weise dessen elektronische Eigenschaften. Zum einen können elektrisch aktive Punktdefekte am Versetzungscore akkumuliert werden und zum anderen zeigen manche Versetzungen tiefe Gap-Zustände, wie zum Beispiel die undissoziierte 60∘-Versetzung in kubischem GaN [1].
Wir haben die verschiedenen 60∘-Versetzungen in GaN im Rahmen einer ladungsselbstkonsistenten Dichtefunktional-basierten Tight-Binding-Methode (Scc-Dftb) und alternativ mit Hilfe eines Pseudopotentialverfahrens (Aimpro) im Hinblick auf ihre atomare Struktur und elektrische Aktivität untersucht.
Ein weiteres Augenmerk galt der Dissoziation der 60∘-Versetzungen in 30∘- und 90∘-Partialversetzungen.
[1] “Dislocations in hexagonal and cubic GaN”, J. Phys.: Condens. Matter 12, No 49, 10223 (2000)