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HL: Halbleiterphysik
HL 43: GaN III
HL 43.3: Talk
Friday, March 30, 2001, 12:00–12:15, S2
Fernfeld-Untersuchungen an (In)GaN MQW-Laserdioden — •V. Kümmler, G. Brüderl, S. Bader, A. Weimar, A. Lell und V. Härle — OSRAM Opto Semiconductors, Wernerwerkstraße 2, D-93049 Regensburg
Bei OSRAM OS werden InGaN/GaN-MQW-Laserdioden mit minimalem Schwellstrom bei Wellenlängen zwischen λ = 400 − 420 nm entwickelt, was für hohe Speicherdichten und höchstauflösende Laserdrucker interessant ist. Das leitfähige SiC als Substrat ermöglicht Kantenemitter mit vertikalem Stromfluss und gebrochenen, zusätzlich verspiegelten Facetten (Rauhigkeit < 1 nm). Die optische Welle wird durch Index-Führung (Ridgestreifen) oder Gewinn-Führung (Oxidstreifen) eingeschränkt.
In diesem Beitrag werden Fernfeld-Untersuchungen an Laserdioden mit unterschiedlicher Streifenbreite präsentiert, die Aufschluss über die Fokussierbarkeit und die Einkopplung in Fasern liefern. Die Laserdioden werden elektrisch gepumpt und das Fernfeld des emittierten Lichtes bei Raumtemperatur gemessen. Die Streifenbreite wurde zwischen 2,5 µ m und 6 µ m variiert. Zusätzlich wurde die Dicke der aktiven Zone und die Anzahl der Quantentöpfe verändert und die Auswirkung auf das vertikale Fernfeld gemessen. Die optische Einschränkung für die fundamentale Mode durch die Streifenbreite wurde theoretisch berechnet und mit den experimentellen Daten verglichen. Aufgrund der ebenfalls gemessenen Schwellstromdichten jth wird der Einfluss der optischen Einschränkung auf das Verhalten des Lasers dargestellt. Bei 600 µ m langen Resonatoren erreichen wir Schwellstromdichten von jth = 7,2 kA/cm2 und einer Spannung von Uth = 12,5 V.