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HL: Halbleiterphysik

HL 43: GaN III

HL 43.6: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 12:45–13:00, S2

Optimierung von AlGaN Volumenschichten und Übergitterstrukturen mittels MOVPE — •Marc Diesselberg, Sven Einfeldt, Stefan Figge, Tim Böttcher und Detlef Hommel — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen

Im Hinblick auf Wellenleiterstrukturen in GaN-basierten Lasern besteht die Notwendigkeit von ausreichend dicken AlGaN-Claddingschichten mit Aluminiumanteilen von ca. 10%, um eine Wellenführung im Substrat beziehungsweise in der unterliegenden GaN-Schicht zu vermeiden. Aufgrund der Gitterfehlanpassung von GaN zu AlGaN verringert sich mit zunehmendem Aluminiumgehalt die kritische Schichtdicke unter der AlGaN rißfrei deponiert werden kann.

Zur Überprüfung der Vermutung, daß Supergitter diese Dicke vergrößern können, sind Serien von Si- und Mg-dotierten Volumenschichten und Übergitterstrukturen mittels Metallorganischer Gasphasen-Epitaxie (MOVPE) verschiedener Komposition und Dicke hergestellt und mit Hilfe von hochauflösender Röntgenbeugung, Hall-Messungen, Photo- und Kathodolumineszenz sowie optischer Mikroskopie charakterisiert worden.