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HL: Halbleiterphysik

HL 43: GaN III

HL 43.7: Talk

Friday, March 30, 2001, 13:00–13:15, S2

Transporteigenschaften von zweidimensionalen Elektronengasen in AlGaN/GaN-Heterostrukturen — •Angela Link¹, O. Ambacher¹, Y. Smorchkova², J. Speck² und M. Stutzmann¹ — ¹Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, 85748, Garching — ²Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA

Die Ermittlung der Streumechanismen, welche die Drift- Beweglichkeit von Polarisationsinduzierten zweidimensionalen Elektronengasen (2DEGs) in AlGaN/GaN-Heterostrukturen limitieren, ist für die Optimierung dieser Strukturen von fundamentaler Bedeutung. Die Untersuchung der elektronischen Transporteigenschaften liefert wichtige Hinweise auf den Einfluss von Streuung an Versetzungen, Punktdefekten, Grenzflächenrauhigkeiten und Kompositionsfluktuationen. Es wurden Shubnikov-de Haas-, CV- und Hall-Effekt Messungen an AlGaN/GaN-Heterostrukturen mit hoher Elektronenbeweglichkeit (bis zu 3 x 10⁴ Vs/cm²) und unterschiedlichen Ladungsträgerdichten zur Bestimmung der effektiven Elektronenmasse, Transport- und Quanten-Streuzeit durchgeführt. Aus dem Verhältnis der Quanten- und Transportstreuzeit konnten Rückschlüsse über die Bedeutung unterschiedlicher Streumechanismen gezogen werden. Darüber hinaus wurden winkelaufgelöste SdH-Messungen eingesetzt, die eine Bestimmung der Spinaufspaltung und des g-Wertes der Elektronen ermöglichen.