Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.14: Poster

Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Cd-Verteilung und Defekte in CdSe/ZnSe Quantenpunktstrukturen — •Dimitri Litvinov¹, Andreas Rosenauer¹, Dagmar Gerthsen¹ und Herbert Preis² — ¹Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe — ²Infinion, München

Die Zusammensetzung und Defektbildung von CdSe/ZnSe Quantenpunkstrukturen wurden mit konventioneller und hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Die Schichten wurden mittels Molekularstrahlepitaxie auf GaAs(001) bei 350 ^∘C aufgewachsen. Die nominelle CdSe Schichtdicke war 3 Monolagen. Im Vergleich zur nominellen Dicke wurden stark verbreiterte ternäre CdZnSe Schichten mit Bereichen erhöhter Cd-Konzentration (Inseln) kleiner als 10 nm beobachtet. Aus der Analyse der Cd-Konzentrationsprofile wurde die Verbreiterung der CdZnSe Schicht bestimmt, die durch Segregation und Diffusion wärend des Wachstums hervorrufen wird. Die Konfiguration der Defekte, die sich an der CdSe/ZnSe Grenzfläche bilden, wird in Abhängigkeit von der Dicke der ZnSe Deckschicht analysiert. Es wird festgestellt, dass die Defekte Stapelfehlerpaare(SFP) sind, die durch Shockley Teilversetzungen begrenzt werden. An der unteren CdSe/ZnSe Grenzfläche bilden sich an der Schnittlinie der SFP Stair-Rod Versetzungen, die zum Abbau der Verspannung in der CdSe Schicht beitragen. Ihre Länge nimmt mit der Deckschichtdicke zu.