Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 7: Poster I
HL 7.4: Poster
Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Herstellung von GeSi-Schichten auf Si-Substraten mittels Surfactant Modifizierter Epitaxie — •T. Wietler, N. Hoffmann und K.R. Hofmann — Inst. für Halbleiterbauelemente und Werkstoffe, Appelstr 11a, 30167 Hannover
Auf der Basis von GexSi1−x/Si-Heterostrukturen wird die Realisierung extrem leistungsfähiger Halbleiterbauelemente im Rahmen der konventionellen Siliziumtechnologie ermöglicht. Die Surfactant Modifizierte Epitaxie (SME) ist ein Verfahren, mit dem dünne, relaxierte, defektarme Ge-Schichten mit hoher Ladungsträgerbeweglichkeit direkt auf Si-Substraten abgeschieden werden können. Mit dieser Methode zum Abbau der durch Gitterfehlanpassung erzeugten Verspannung lassen sich auch relaxierte GexSi1−x-Schichten (x > 0.65) für den Einsatz als Pseudosubstrate in pseudomorph verspannten GeSi-Heterobauelementen realisieren.
Mit Sb als Surfactant wurden mittels SME auf Si(111)-Substraten GexSi1−x-Filme mit Schichtdicken von 500nm bis 1000nm hergestellt, wobei der Ge-Anteil zwischen 70% und 90% variiert wurde. Die Untersuchung von Oberflächenmorphologie und Volumenkristalleigenschaften der Proben erfolgte in Abhängigkeit von der Zusammensetzung, der Wachstumstemperatur und der Schichtdicke. Für die Oberflächencharakterisierung kamen SEM, Etch Pit Density (EPD) und AFM zum Einsatz. Die Volumenkristalleigenschaften wurden mit spektraler Ellipsometrie und XRD ermittelt.