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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Poster I

HL 7.65: Poster

Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

DLTS-Messungen an selbstorganisiert gewachsenen InAs-Quantenpunkten — •S. Schulz, S. Schnüll, C. Heyn und W. Hansen — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg.

Wir untersuchen das Emissionsverhalten von Elektronen aus mit MBE selbstorganisiert auf GaAs gewachsenen InAs Quantenpunkten (QP). Die QP werden in den volumendotierten Bereich einer n-GaAs Schottky-Diode eingebettet und mit zeitaufgelöster Kapazitätsspektroskopie (DLTS) untersucht. Dabei äussert sich die Emission von Elektronen in einer Veränderung der Kapazität der Verarmungszone.

Es stellt sich heraus, daß die Elekronen aus den QP sowohl durch Tunneln, als auch durch thermische Anregung ins Leitungsband emittiert werden. Höhere Temperaturen und niedrige Volumendotierungen begünstigen die thermische Emission. Weiterhin können wir aus den Messungen die Anregungsenergien für thermische Elektronenemission aus den Energieniveaus der QP bestimmen. Wir beobachten dabei 2 Niveaus mit etwa 45 meV bzw. 20 meV Abstand zum Leitungsband. Die Identifikation der Niveaus als angeregte QP-Zustände oder Wettinglayersubband wird diskutiert.

Diese Arbeit wird im Rahmen des SFB 508 Quantenmaterialien unterstützt.