Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 7: Poster I
HL 7.66: Poster
Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Formierung von Ge-Nanokristallen in SiC durch Ionenimplantation — •Ch. Schubert, U. Kaiser, T. Gorelik, A. Hedler und W. Wesch — Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena
250 keV Ge-Ionen wurden mit einer Dosis von
1×1016 cm−2 bei 700 ∘C in
4H-SiC implantiert. Anschließend erfolgte eine Temperung
bei 1400 ∘C bzw. 1600 ∘C für jeweils
120 s unter Ar-Atmosphäre.
RBS-channeling-Messungen (1.4 MeV He+) nach der Implantation
zeigen eine Schädigung des SiC vor allem im Bereich der Ionenreichweite
und tiefer (bis 200 nm), jedoch keine Amorphisierung.
Mittels TEM konnten die Schäden in größerer Tiefe als Verspannungen
infolge der Agglomeration von Punktdefekten identifiziert werden.
Die Ge-Verteilung nach der Implantation entspricht in ihrer Lage
den mittels TRIM berechneten Werten, ist jedoch verbreitert, wie auch
EDX-Messungen bestätigen.
Ein Teil des Ge ist bereits nach der Implantation auf Gitterplätzen
eingebaut, erkennbar an der verringerten RBS-Ausbeute in
Kanalisierungsrichtung.
In bei 1600 ∘C getemperten Proben wurden mittels HRTEM
3–10 nm große Nanokristalle nachgewiesen. EDX weist für diese
Kristallite einen deutlich höheren Ge-Anteil als für die
SiC-Matrix aus, einige der Nanokristalle bestehen ausschließlich aus Ge.
RBS-Kanalisierungsspektren zeigen in diesen Bereichen eine erhöhte
Ge-Rückstreuausbeute.
Bei 1400 ∘C getemperte Proben zeigen keine
Nanokristallbildung, nur eine geringfügige Verbreiterung des
Ge-Implantationsprofils ist erkennbar.