Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 7: Poster I
HL 7.7: Poster
Montag, 26. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
CVD Wachstum von Zinkoxid — •Arndt Zeuner, Helder R. Alves, Dirk Meister, Daniel Pfisterer, Detlev M. Hofmann und Bruno K. Meyer — I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Giessen
Auf unserer im Hause selbstgebauten Gegenstrom-CVD Anlage wurde das Wachstum von ZnO auf Saphirsubstraten untersucht. Als Vorstufen für die Deposition kamen Zinkchlorid, metallisches Zink und Stickstoffdioxid zum Einsatz. Stickstoff diente als Transportgas in den Prozessen. Die Wachstumsparameter Gesamtdruck und Temperatur wurden in den Bereichen 2 - 8 mbar und 550oC - 850o variert. Die strukturellen Eigenschaften des ZnO wurden mit Röntgenbeugung, Rasterkraft- und Elektronenmikroskopie untersucht, die optischen und elektrischen Eigenschaften durch Photolumineszenz- und temperaturabhängige Hallmessungen. Unter optimierten Wachstumsbedingungen sind außer der exzitonischen Rekombination keine Emissionen über tiefe Störstellen (grüne Bande) zu beobachten. Die Konzentration der residuären Donatoren liegt dann bei 1 x 1016 cm−3. Die Halbwertsbreiten der Rockingkurven sind vergleichbar zu kommerziellen Einkristallen. Der Einfluß der Wachstumsparameter auf die ZnO Eigenschaften wird diskutiert.