Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 7: Poster I
HL 7.86: Poster
Monday, March 26, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Transportuntersuchungen an Gate-gesteuerten GaAs/AlGaAs V-Graben Quantendrähten — •F. Macherey1, A. Schwarz1, T. Bronger1, Th. Schäpers1, A. Kaluza1, H. Hardtdegen1, H. Lüth1, A.C. Maciel2, M. Hauert2, R. Roshan2 und J. F. Ryan2 — 1Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — 2Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, Oxford OX1 3PU, UK
Epitaktische Wachstum auf V-förmig vorstrukturierten Substraten ermöglicht die Herstellung von AlGaAs/GaAs Quantendrähten mit sehr gutem Ladungsträgereinschluß. Durch eine Modulationsdotierung ist es zudem möglich elektrisch leitende Strukturen zu präparieren. Mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie wurden AlGaAs/GaAs Drähtstrukturen verschiedener Länge und unterschiedlicher Breite hergestellt. Das Schichtsystem wurde dabei so angepaßt, daß sowohl niederohmige ohmsche Kontakte als auch Schottky-Gate-Elektroden präpariert werden können. Die Magnetotransportmessungen an diesen Strukturen zeigen ausgeprägte Shubnikov-de Haas Oszillationen bei tiefen Temperaturen, die sich zum Teil durch einen zusätzlichen Transportkanal an den Seitenwänden der Strukturen erklären lassen. Mittels einer Gate-Elektrode war es möglich den Widerstand der Struktur zu steuern.