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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Halbleiterlaser

HL 9.10: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 17:45–18:00, S2

GaInAsN/GaAs Laserdioden für den 1.3 und 1.5µ m Wellenlängenbereich — •M. Fischer, D. Gollub, M. Reinhardt und A. Forchel — Technische Physik, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Das Materialsystem GaInAsN ermöglicht die Realisierung optoelektronischer Bauelemente auf Basis von GaAs in dem für die Telekommunikation interessanten Wellenlängenbereich 1.3 - 1.55µ m . Die hier vorgestellten Proben wurden durch plasmaunterstützte Molekularstrahlepitaxie (RF-MBE) hergestellt. Durch eine gezielte Optimierung der Wachstumsparameter konnten GaInAsN/GaAs Quantenfilmstrukturen sehr guter optischer Qualität mit PL Emission (RT) bis 1550nm realisiert werden. Basierend auf diesen Vorarbeiten gelang es uns die ersten GaInAsN Laserdioden (SCH Strukturen) im 1.5µ m Wellenlängenbereich herzustellen. Es wird eine Verschlechterung der Lasereigenschaften im Vergleich zu unseren 1.3µ m -LDs beobachtet; hier wurden Schwellenstromdichten von 780A/cm² (Breitstreifenlaser mit Dimension 1000x100µ m²) erreicht. Hergestellte Stegwellenleiter bei 1.3µ m erlauben Dauerstrichbetrieb mit ausgezeichneten Hochtemperatur-Eigenschaften; so lassen sich die LDs gepulst bis über 175^oC betreiben mit sehr geringer Temperaturabhängigkeit der Laserschwelle (T₀=158K zw. 20 und 100^oC). Dynamische Messungen an diesen Lasern werden ebenfalls vorgestellt.