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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Halbleiterlaser

HL 9.11: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 18:00–18:15, S2

Niederohmige Kontakte zur Lebensdauerverlängerung von II-VI Halbleiterbauelementen — •Matthias Straßburg¹, Oliver Schulz¹, Thorsten Rissom¹, Udo W. Pohl¹, Dieter Bimberg¹, Kenji Sato², Matthias Klude³, Detlef Hommel³, Satoshi Itoh⁴, Kazushi Nakano⁴ und Akira Ishibashi⁴ — ¹Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin — ²Nikko Materials Corporation, Isohara Plant, 3-17-35 Niizo-Minami, Toda Saitama, 335-8502, Japan — ³Universität Bremen, Institut für Festkörperphysik, Kufsteiner Straße NW1, 28359 Bremen — ⁴Sony Corporation, Shinagawa-Ku, Tokyo, 141-0001, Japan

Die geringe Lebensdauer von II-VI Laserdioden resultiert zu einem großen Teil aus der unzureichenden p-Dotierung. Der hohe Serienwiderstand ruft eine erhöhte Wärmeentwicklung im Bauelement hervor und führt durch die damit verbundene Defektanreicherung zur beschleunigten Degradation. Bisher wurde zur Lösung dieses Problems eine Optimierung der Kontakte nach der Epitaxie kaum in Betracht gezogen. Wir haben ein Verfahren entwickelt und patentiert, welches es ermöglicht, eine Erhöhung der p-Dotierung während des Aufdampfens der Metallkontakte zu erreichen. Die Dotierung erfolgt über das Aufbringen akzeptorhaltiger Verbindungen und Eindiffusion während der anschließenden Metallisierung. Dies führt zu einer Senkung des Bauelementwiderstandes um einen Fakor 2 und damit verbunden des thermischen Stresses. Die Lebensdauer von Laserdioden konnte auf das zwanzigfache erhöht werden.