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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Halbleiterlaser

HL 9.8: Talk

Monday, March 26, 2001, 17:15–17:30, S2

Optische Untersuchungen an (GaIn)(NAs)/GaAs Mikroresonatoren — •Bernardette Kunert, Jörg Koch, Stefan Reinhard und Wolfgang Stolz — Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaft, Fachbereich Physik, Philipps-Universität Marburg

Oberflächenemittierende Laser (VCSEL) für die Emissionswellenlängen 1,3µm und 1,55µm spielen in der Glasfaserkommunikationsentwicklung eine entscheidende Rolle. Eine Möglichkeit der Realisierung ist die Verwendung von metastabilem (GaIn)(NAs) als aktives Material, das unter extremen Nichtgleichgewichtsbedingungen auf GaAs-Substraten abgeschieden werden kann. Verschiedene (GaIn)(NAs)/GaAs VCSEL-Strukturen wurden bei niedrigen Wachstumstemperaturen mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Einsatz von effizienten Gruppe-V-Quellen wie Dimethylhydrazin und Tertiärbutylarsin hergestellt. Die Bragg-Reflektoren basieren auf dem (AlGa)As/GaAs Materialsystem. Optische Reflexionsmessungen an (GaIn)(NAs)/GaAs-VCSEL wurden temperaturabhängig durchgeführt. Die erhaltene Abhängigkeit für unterschiedliche Emissionswellenlängen wird vorgestellt und im Rahmen vergleichender spektroskopischer Messungen an Mikroresonatorstrukturen ohne aktives Material sowie Photolumineszenz an Potentialtopfstrukturen ohne Resonator diskutiert.