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M: Metallphysik

M 9: Diffusion und Punktdefekte I

M 9.1: Fachvortrag

Monday, March 26, 2001, 10:15–10:30, S12

Unterschiedliche Diffusionspfade für implantiertes Bor in Kupfer — •M. Füllgrabe, B. Ittermann, H.-J. Stöckmann, F. Kroll, D. Peters und H. Ackermann — Fachbereich Physik der Philipps-Universität Marburg, D-35032 Marburg

Nach der Implantation von ¹²B-Ionen in Cu-Einkristalle können sich die Fremdatome auf interstitiellen oder substitutionellen Gitterplätzen befinden. Mit β-strahlungsdetektierter Kernspinresonanz (β-NMR) wurden beide Spezies im Temperaturbereich von 60-740 K untersucht. Anhand sogenannter Kreuzrelaxations(KR-)prozesse zwischen ¹²B und den umgebenden Cu-Wirtskernen konnten bereits früher beide Einbauplätze mikroskopisch identifiziert und spektroskopisch eindeutig getrennt werden [1,2]. Eine neue Analyse der KR-Resonanzen mit Hilfe eines stochastischen Sprungmodells ermöglicht jetzt nicht nur die unabhängige Bestimmung der Diffusionsparameter für die interstitielle und substitutionelle Wanderung, sondern auch ein mikroskopisches Bild des Platzwechsels vom interstitiellen auf den substitutionellen Platz.

[1] H.-J. Stöckmann et al., Hyp. Int. 49 235 (1989).

[2] G. Sulzer et al., Z. Naturforsch. 49a 354 (1994).