Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.3: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Elektronische, strukturelle und vibronische Eigenschaften von 2H:Si(001)-(1×1) — •U. Freking, A. Mazur und J. Pollmann — Institut für Festkörpertheorie, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster

Die Adsorption von Wasserstoffmonolagen auf Halbleiteroberflächen wurde in den letzten Jahren sowohl theoretisch als auch experimentell intensiv studiert. Die Untersuchungen erlauben ein vertieftes Verständnis der Chemisorption, wobei der s-Charakter des Wasserstoffs vielfach verschiedene Rekonstruktionen ermöglicht. So konnten bei der Adsorption von atomarem Wasserstoff auf der (001) Oberfläche von Silizium bei unterschiedlichen Temperaturen (1× 1), (2× 1) und (3× 1) Strukturen realisiert werden [1,2].

In unserem Beitrag stellen wir die elektronischen, strukturellen und vibronischen Eigenschaften von 2H:Si(001)-(1× 1) Dihydrid vor. Hierzu wurde das Adsorbatsystem mit einer ’repeated-slab’ Geometrie modelliert und das jeweilige Kristallpotential durch normerhaltende ab-initio Pseudopotentiale nach Kleinman und Bylander dargestellt. Die Bestimmung der geometrischen und elektronischen Struktur erfolgte im Rahmen der Lokalen Dichteapproximation. Die Phononenfrequenzen wurden mit Hilfe der Dichtefunktionalstörungstheorie [3] ermittelt.

[1] T. Sakurai and H. D. Hagstrum, Phys. Rev. B 14, 1593 (1976)

[2] Y. J. Chabal and K. Raghavachari, Phys. Rev. Lett. 54, 1055 (1985)

[3] S. Baroni et al., Phys. Rev. Lett. 58, 1861 (1987)