Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)
O 13.4: Poster
Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B
Die Wechselwirkung von atomarem Wasserstoff mit unterschiedlich modifizierten V(100) Oberflächen — •Hannes Schiechl und Adolf Winkler — Institut für Festkörperphysik, TU Graz
Wir haben die Adsorptionskinetik von H auf V(100)+S, V(100)+O und V(100)-oxid mit Hilfe von TDS untersucht. Die verschieden modifizierten Oberflächen wurden mit AES, XPS und LEED charakterisiert. Es konnten zwei verschiedene Schwefelüberstrukturen (c(2x2) mit ΘS = 0.5 ML und eine inverse c(√2x3√2)R45∘ mit ΘS = 0.66 ML) sowie eine (5x1) Sauerstoffüberstruktur (ΘO = 0.8 ML) erzeugt werden. Die Vanadiumoxidoberfläche (V2O3) war ungeordnet. Der Haftkoeffizient für molekularen Wasserstoff ist auf allen Flächen sehr gering (<1x10−4). Der Anfangshaftkoeffizient für H ist 0.16 auf ΘS = 0.66, 0.20 für ΘS = 0.5 und 0.14 für ΘO = 0.8. Auf der durch thermische Oxidation hergestellten Vanadiumoxid-Oberfläche in der höchstmöglichen Oxidationsstufe (V2O3) ist der Haftkoeffizient für atomaren Wasserstoff nur mehr etwa 0.02 Die Abhängigkeit des Haftkoeffizienten für H-Atome vom Oxidationsgrad der V(100) Oberfläche wurde im Detail untersucht.