Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.42: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Photoelektronenspektroskopische Untersuchungen von Eisen– und Iridiumsiliziden — •Marc Probst, Martin Kinne, Caroline Whelan, Dieter Borgmann, Reinhard Denecke und Hans–Peter Steinrück — Physikalische Chemie II Universität Erlangen–Nürnberg

Die Bildung von Eisensilizid auf Si(111) und Iridiumsilizid auf Si(100) wurde mit hochaufgelöster Röntgenphotoemission (XPS) und winkelaufgelöster Valenzphotoemission (ARUPS) mit Synchrotronstrahlung bei BESSY–II und mit LEED untersucht. Fe und Ir wurden mittels eines Elektronenstrahlverdampfers auf die Si-Substrate aufgedampft und anschließend schrittweise geheizt. Nach jedem Heizschritt wurden XPS–Spektren der Rumpfniveaus (Si 2p, Ir 4f, Fe 3p) und UPS–Spektren der Valenzniveaus gemessen. Für beide Systeme zeigen sich mit zunehmender Temperatur charakteristische Verschiebungen der Bindungsenergie und Änderung der Linienform der Rumpfniveaus. Diese sind besonders deutlich für das Si 2p-Niveau und deuten jeweils auf eine Silizidbildung hin. Auch die UPS-Spektren lassen signifikante Veränderungen erkennen. Die geheizten Fe/Si(111)– und Ir/Si(100)–Schichten zeigen darüber hinaus im LEED eine (1x1)–Struktur, was in beiden Fällen auf die Ausbildung einer wohlgeordneten Silizidphase schließen läßt. Für das Eisensilizid ist dies in guter Übereinstimmung mit [1], während für Iridiumsilizid bisher keine geordneten Oberflächenstrukturen beobachtet wurden. Gefördert durch die DFG über den SFB 292.

[1] W.Weiß, M.Kutschera, U.Starke, M.Mozaffari, K.Reshöft, U.Köhler, K.Heinz,Surf.Sci. 377–379 (1997) 861–865