Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)
O 13.45: Poster
Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B
Untersuchung der geometrischen und elektronischen Struktur von (PbS)1.14NbS2 — •Julia Brandt, Jörn Kanzow, Kai Roßnagel, Lutz Kipp und Michael Skibowski — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Kiel, 24098 Kiel
Fehlanpassungs-Schichtverbindungen (misfit layer compounds) des Typs (MX)1+δTX2 (M=Pb, Sn, Bi; T=Nb, Ta, V, Ti,...; X=S, Se) stellen eine interessante Klasse von Heteroschichtsystemen dar, die aus zwei sehr unterschiedlichen Materialien zusammengesetzt und in einer Kristallrichtung inkommensurabel sind. In den auch natürlich vorkommenden Mischkristallen treffen Flächen aufeinander, die sich grundsätzlich in ihrer Symmetrie (kubisch (MX) bzw. hexagonal(TX2)) und ihrem elektronischen Verhalten (halbleitend bzw. metallisch ) unterscheiden. Am Beispiel des Fehlanpassungskristalls (PbS)1.14NbS2 werden die Auswirkungen dieser unterschiedlichen Eigenschaften auf die geometrische Struktur mittels STM und LEED untersucht. Winkelaufgelöste Photoemissionsmessungen erlauben Rückschlüsse auf die elektronische Struktur und insbesondere auf die Art der Bindung zwischen den verschiedenartigen Schichten.