Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.51: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Kinetische Monte Carlo-Simulationen zum Einfluß von Substratstufen auf die Wachstumskinetik — •M. Bierkandt¹, M.I. Larsson² und J. Wollschläger¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover — ²Department of Physics and Mathematics, Karlstad University, Sweden

Es wurden umfangreiche kinetische Monte Carlo (KMC)-Simulationen durchgeführt, um den Einfluß von Substratstufen beim epitaktischen Wachstum auf vicinalen Substraten zu analysieren. Motivation hierfür waren Rastertunnelmikroskopie (STM)-Messungen des Wachstums von CaF₂ im Temperaturbereich von 350 bis 700^∘C auf vicinalem Si(111) mit Terrassenbreiten zwischen 500 und 3000 Å. Bei den Simulationen wurden im wesentlichen Temperatur, Fluß und Terrassenbreite variiert und mit entsprechenden Simulationen auf der idealen stufenfreien Oberfläche verglichen. Desweiteren wurde besonderes Augenmerk auf den Übergang Terrassennukleation ↔ Stufennukleation gerichtet. Die diesbezüglich durchgeführten Simulationen ergeben, daß für den Übergang die quadratische Terrassenbreite proportional zur Diffusionskonstante ist.

Insgesamt zeigt sich eine sehr gute Übereinstimmung der KMC-Simulationen mit den STM-Messungen am System CaF₂/Si(111).