Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.52: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Wachstum und Struktur von Fe auf GaAs(100) — •Domokos Kovacs und Laurens Verheij — Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik (IGV) des Forschungszentrums Jülich D- 52425 Jülich, Germany

Das Wachstum von Fe auf einer GaAs(100) Oberfläche wurde mittels Streuung thermischer Heliumatome (HAS), Auger Elektronenspektroskopie (AES) und Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) im Temperaturbereich von 80 bis 800 K untersucht. Es wurden Fe Schichten bis zu 30 ML bei verschiedenen Temperaturen aufgedampft. Wachstum unterhalb 300 K führt zu ungeordneten Fe Schichten. Durch Anlassen auf Temperaturen zwischen 520 und 630 K ordnen sich diese Fe Schichten. Die geordneten Schichten zeigen eine für die α-Phase des Fe charakteristische bcc Struktur mit einer Gitterkonstanten von 2.9 Å. Während des Anlassens wird eine Segregation des Ga und des As in die Fe Schicht beobachtet. Es wird vermutet, dass sich eine geordnete FeGaAs Legierung zwischen dem GaAs(100) Kristall und der Fe Schicht bildet. Wohlgeordnete Fe Schichten werden durch Aufdampfen bei höheren Temperaturen (470 K bzw. 630 K) erzielt. Auf die so geordnete Fe Schicht kann dann bereits bei Raumtemperatur ein Schicht-für-Schicht Wachstum von Fe erzeugt werden. Der Einfluß der Vorbehandlung der Probe auf das weitere Wachstum der Fe Schicht wird im Detail diskutiert.