Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.56: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Untersuchungen zum Wachstum dünner Co-Schichten auf NiO(001) mittels Rastertunnelmikroskopie — •U. Mick¹, F.U. Hillebrecht² und E. Kisker¹ — ¹Institut für Angewandte Physik, Heinrich-Heine-Universität, Universitätsstraße 1, D-40225 Düsseldorf — ²Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, D-06120 Halle

Vor kurzem konnten erstmals antiferromagnetische Domänenstrukturen in NiO unter Zuhilfenahme des magnetischen Dichroismus in der Photoemissions Elektronenmikroskopie (PEEM) abgebildet werden. Damit eröffnete sich ein neuartiger Zugang, um die Kopplung zwischen ferro- und antiferromagnetischen Schichtstrukturen auf mesoskopischer Skala zu untersuchen. Für das verbesserte Verständnis der Kopplungsmechanismen ist aber auch gerade die zugrundeliegende Strukturbildung und -entwicklung an der Grenzfläche auf atomarer Skala von Interesse. Daher haben wir ergänzend das Wachstum dünner Co-Schichten auf NiO(001) mittels Rastertunnelmikroskopie untersucht. Aufgrund der Isolatoreigenschaften von NiO bei Raumtemperatur ist eine Untersuchung an NiO-Strukturen nur bei erhöhten Temperaturen ab 500K oder an dünnen Substratfilmen aus NiO auf einer leitfähigen Unterlage möglich. Hierfür wurden dünne NiO(001)-Filme auf Ag(001)-Einkristallen präpariert und an diesen wiederum das weitere Wachstum von Co auf NiO(001) bei Raumtemperatur untersucht.