Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)
O 13.60: Poster
Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B
DFM-Untersuchungen zum Wachstum von Si auf epitaktischen CaF2-Schichten — •M. Grimsehl, A. Klust und J. Wollschläger — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover
Für die Herstellung neuartiger Quantenstrukturbauelemente werden niedrigdimensionale Halbleiter-Isolator-Strukturen hoher Qualität benötigt. Für derartige Heterostrukturen sind Si und CaF2 aufgrund ihrer ähnlichen Kristallstruktur und des geringen Unterschieds der Gitterkonstanten gute Kandidaten.
Bei Wachstumstemperaturen zwischen 500∘C und 700∘C wurde durch Molekularstrahlepitaxie Si auf epitaktische CaF2-Schichten aufgebracht. Das Wachstum wurde in situ mit der dynamischen Kraftmikroskopie (DFM) untersucht. Si zeigt im betrachteten Temperaturbereich ein dreidimensionales Wachstum. Bei 500∘C entstehen kleine, runde Cluster. Mit zunehmender Temperatur treten vermehrt dreieckige, flachere Strukturen in Erscheinung. Für die Herstellung laminarer Si-Schichten muß dieses 3D-Wachstum in ein Lage-für-Lage-Wachstum überführt werden. Die mit dem Ziel einer surfactantmodifizierten Epitaxie durchgeführte Koevaporation von Si und Sb bewirkt keine Veränderung der Wachstumsform in Richtung Lage-für-Lage-Wachstum. Statt dessen wird die Bildung der dreieckigen Strukturen unterdrückt.