Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.61: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Oberflächenspannungsoszillationen bei der surfactant-modifizierten Homoepitaxie Si/Si(111):H — •Th. Grabosch¹, P. Zahl², P. Kury¹, E. Pehlke¹ und M. Horn-von Hoegen¹ — ¹Inst. für Laser- und Plasmaphysik, Uni Essen — ²Inst. für Festkörperphysik, Uni Hannover

Durch den kombinierten Einsatz von hochauflösender Beugung niederenergetischer Elektronen (SPA-LEED) und einer optischen Biegebalkenmethode (SSIOD) können erstmals Oberflächenmorphologie und Verspannung einer Probe während des Wachstums gemessen und miteinander korreliert werden. Es konnten Oszillationen der Oberflächenspannung parallel zu den bekannten Wachstumsoszillationen der Intensität des LEED-Spiegelreflexes nachgewiesen werden. Diese werden auf Verspannungseffekte der atomaren Stufen zurückgeführt. Weiterhin wurde der Absolutwert der Oberflächenspannung der (7×7)-rekonstruierten Si(111)-Oberfläche bestimmt, indem die Verspannungsdifferenz zwischen der reinen und der H-terminierten (1×1)-Oberfläche gemessen wurde. Die Oberflächenspannung der Si(111)(1×1):H-Referenzfläche wurde mittels Dichtefunktional-Gesamtenergierechnungen ermittelt.